隨著現(xiàn)代微電子技術(shù)的創(chuàng)新，電子設(shè)備向著微型化、集成化、高效率和高可靠性等方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的集成度越來(lái)越高，功率密度越來(lái)越大，對(duì)封裝材料的要求也越來(lái)越高。高溫電爐升降式箱式電動(dòng)加熱爐功率微電子封裝除承擔(dān)熱耗散外，還必須具有與芯片的材質(zhì)（Si、GaAs）相匹配的線脹系數(shù)以及強(qiáng)度高、結(jié)構(gòu)質(zhì)量輕、工藝性好、成本低等特點(diǎn)。

高溫電爐升降式箱式電動(dòng)加熱爐陶瓷基板由陶瓷基片和布線金屬層兩部分組成，金屬布線是通過(guò)在陶瓷基片上濺射、蒸發(fā)沉積或印刷各種金屬材料來(lái)制備薄膜和厚膜電路。常用的陶瓷基片材料有氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氧化鈹?shù)鹊?，制備陶瓷基板的方法有很多種，根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和多層陶瓷基板兩大類，按照工藝分為DPC、DBC、AMB、TPC、TFC、LTCC、HTCC等。